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快科技11月25日消息，近日，长鑫存储在IC China 2025（中国国际半导体博览会）上，正式发布最新的DDR5和LPDDR5X产品，挑战韩美先进存储大厂。据长鑫介绍，最新DDR5系列最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，均达到国际领先水平，并同步推出覆盖服务器、工作站及个人电脑全领域的七大模组产品。此外，长鑫还展示了上个月已经发布的LPDDR5X产品。该系列针移动市场旗舰产品，最高速率 10667Mbps，最高颗粒容量 16Gb，并涵盖 12GB、16GB、24GB、32GB 等容量的多种封装解决方案。今年稍早时，市场曾出现由中国企业生产的少量DDR5内存，但这次是长鑫存储作为代表，首度正式展示实际产品。半导体产业指出，长鑫存储展示内存性能值得关注，其DDR5最大速度8000Mbps，比上一代产品（6400 Mbps）提升25%，在技术路线上至少已追上韩国公司。 业界人士认为，长鑫存储的性能足以应用于搭载最先进CPU的服务器。根据韩媒 Business Korea引述日经及研调机构Counterpoint Research的数据，长鑫存储第三季DRAM市占率达8%，排名第四。 在NAND部分，长江存储第三季度市占率为13%。由于美国封锁EUV等关键设备出口中国，使得中国扩张脚步放缓，但与韩国在通用DRAM市场的技术差距约不到一年。韩媒认为，随着2030年迎来3D DRAM时代，竞争关系可能又会出现变数。3D DRAM是将内存单元向上堆叠的产品，当3D DRAM时代来临时，对EUV光刻设备的需求将下降，这可能成为中国企业超车的机会。首尔大学材料科学与工程系Hwang Cheol-seong教授表示，单看内存技术水平，韩国与中国的差距几乎已经消失。 当不需要EUV光刻设备的3D DRAM时代在五年后到来时，中国将进一步崛起。【本文结束】如需转载请务必注明出处：快科技责任编辑：朝晖 (function(){ var adScript = document.createElement('script'); adScript.src = '//d1.sina.com.cn/litong/zhitou/sinaads/demo/wenjing8/js/yl_left_hzh_20171020.js'; document.getElementsByTagName('head')[0].appendChild(adScript); })();